通常情况下，下列逻辑类型中速度最快的是（）。

单项选择题通常情况下，下列逻辑类型中速度最快的是（）。

A.静态互补CMOS逻辑
B.动态逻辑
C.传输管逻辑
D.伪NMOS逻辑

1.单项选择题如果要实现一个8输入的或非门，采用下列哪种逻辑类型更合理？（）

A.静态互补CMOS
B.伪NMOS
C.CPL
D.差分多米诺逻辑

2.多项选择题下列关于多米诺逻辑的表述正确的有（）。

A.一级多米诺逻辑由一个动态逻辑门和一个静态反相逻辑门串联而成
B.彼此串联的一组多米诺逻辑的预充和求值是并行进行的，因此速度很快
C.多米诺逻辑工作的最高时钟频率主要由各级门的求值时间之和决定
D.为了提高性能，多米诺逻辑中的输出反相器往往采用high-skew反相器

3.单项选择题传输管逻辑的噪声容限等于（）。

A.VDD/2
B.阈值电压VT
C.VDD
D.VDD-VT

4.单项选择题互补CMOS 2输入与非门和伪NMOS 2输入与非门相比，正确的表述是（）。

A.互补CMOS逻辑门的下降速度更快，静态功耗更高
B.互补CMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低
C.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更高
D.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低

5.多项选择题增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是（）。

A.在芯片当中的任一位置上放置一个电容
B.靠近大的驱动器的地方应该放置去耦电容
C.电源线下方应该放置去耦电容
D.尽量远离要稳定的电源电压的电路

6.单项选择题芯片中通常把电源线和地线布线成纵横交错的网格状，以降低IR drop，其原理是（）。

A.可以减小各处电路的电源/地线上的寄生电阻
B.可以减小流过电源/地线上的电流
C.可以使得芯片各处的电源/地线上的寄生电阻相等
D.增大导线的对地电容，滤除电压的波动

7.多项选择题下列情形中会使得存在电容串扰时受害信号线受到更大干扰的是（）。

A.耦合电容更大
B.干扰信号摆幅大
C.受害信号线是低阻抗节点（被低的驱动电阻驱动）
D.干扰信号翻转速度快

8.单项选择题信号经过长导线的传播延时和导线长度的（）次方成正比。

A.1
B.2
C.3
D.0

9.单项选择题当导线延时超过逻辑门延时，信号翻转时间也比导线延时短是，应该采用下面哪种延时模型？（）

A.集总电容模型
B.分布rc模型
C.集总RC模型
D.看作理想导线

10.多项选择题数字集成电路中的寄生电感的影响主要考虑（）线上的寄生。

A.电源
B.地
C.时钟
D.数据信号