刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

互连工艺中AL的制备可选用（）。

常压的硅外延方法有（）。

光刻工艺的特点包括（）。

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）

封装工艺中，银浆固化的温度为（）。