集成电路工艺原理章节练习(2019.03.11)

来源：考试资料网

1.判断题旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。

2.判断题PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。

3.判断题SiO₂中5价的网络形成者可使结构强度增加，而3价的网络形成者可使结构强度减小。

4.问答题简述引线框架材料？

参考答案：引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电...

5.名词解释IDM

集成器件制造商。

6.填空题自持放电的形式有（）、（）、（）、（）。

参考答案：辉光放电；弧光放电；电晕放电；火花放电

7.问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？

参考答案：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。S...

8.判断题化学机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。

9.名词解释平均投影射程Rp

所有入射离子的投影射程的平均值。

10.判断题热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。