半导体芯片制造工章节练习(2019.06.25)

来源：考试资料网

1.问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

参考答案：1）温度高温区B区，生长速率对温度的变化不敏感，生长速率由气相质量输运控制，并且对反应室的几何形状和气流有很大的依赖性。...

2.问答题集成电容主要有哪几种结构？

①金属-绝缘体-金属（MIM）结构；
②多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构；
③金属叉指结构；
④PN结电容；
⑤MOS电容。

3.填空题在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。

4.判断题光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）

5.问答题 Si-SiO₂界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。

参考答案：可动离子电荷Q_m来源：主要来源于Na+等网络改变者。解决办法：为了降低Na+的玷污，可以在工艺过程...

6.判断题在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）

7.问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？

参考答案：RTP工艺是一类单片热处理工艺，其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算（Thermal...

8.判断题丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。（）

9.问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

参考答案：扩散效应是指衬底中的杂质与外延层中的杂质，在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近杂质浓度的缓慢变化。扩散效应对界...

10.问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？

参考答案：①碰撞注入离子与靶内原子核之间的相互碰撞。因注入离子与靶原子的质量一般为同一数量级，每次碰撞之后，注入离子都可能发生大角...