单项选择题在超大规模集成电路工艺中，一般只采用（）。
A.负胶
B.正胶
C.光刻胶
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1.单项选择题光刻要求晶圆片表面存在的图案与掩膜版上的图形对准，此特性指标称为（）。
A.套准精度
B.特征尺寸
C.分辨率
D.工艺宽容度
2.单项选择题
晶圆加工的基本流程顺序为（）。
（1）切片
（2）外形整理
（3）研磨
（4）倒角
（5）清洗
（6）抛光
A.（1）（2）（3）（4）（5）（6）
B.（2）（1）（4）（3）（6）（5）
C.（1）（2）（4）（3）（5）（6）
D.（2）（1）（3）（4）（6）（5）
3.单项选择题下面哪种方式也称为湿法去胶？（）
A.等离子去胶
B.溶剂去胶
C.氧化去胶
D.三氯乙烯去胶
4.单项选择题
下图属于什么光刻机？（）
A.接触式光刻机
B.步进扫描光刻机
C.分布重复光刻机
D.接近式光刻机
5.单项选择题对于0.25um及以下的隔离技术采用以下（）方式。
A.局部氧化隔离
B.PN结隔离
C.PN结-介质隔离
D.浅槽隔离
6.单项选择题WCVD工艺第一步是（）。
A.浸润
B.成核
C.BULK
D.直接反应
7.单项选择题Liner barrier阻挡金属间扩散作用的金属是（）。
A.金属Al
B.金属钛
C.金属氮化钛
D.金属钨
8.单项选择题掺氯氧化使用的HCL是（）。
A.液态源
B.固态源
C.气态源
9.单项选择题二氧化硅中每个硅原子周围有（）个氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
10.单项选择题以下哪项不是STI工艺气体？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
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以下不属于打码目的的是（）。
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