晶圆加工的基本流程顺序为（）。（1）切片（2）外形整理（3）研磨（4）倒角（...

单项选择题晶圆加工的基本流程顺序为（）。
（1）切片
（2）外形整理
（3）研磨
（4）倒角
（5）清洗
（6）抛光

A.（1）（2）（3）（4）（5）（6）
B.（2）（1）（4）（3）（6）（5）
C.（1）（2）（4）（3）（5）（6）
D.（2）（1）（3）（4）（6）（5）

1.单项选择题下面哪种方式也称为湿法去胶？（）

A.等离子去胶
B.溶剂去胶
C.氧化去胶
D.三氯乙烯去胶

2.单项选择题下图属于什么光刻机？（）

A.接触式光刻机
B.步进扫描光刻机
C.分布重复光刻机
D.接近式光刻机

3.单项选择题对于0.25um及以下的隔离技术采用以下（）方式。

A.局部氧化隔离
B.PN结隔离
C.PN结-介质隔离
D.浅槽隔离

4.单项选择题WCVD工艺第一步是（）。

A.浸润
B.成核
C.BULK
D.直接反应

5.单项选择题Liner barrier阻挡金属间扩散作用的金属是（）。

A.金属Al
B.金属钛
C.金属氮化钛
D.金属钨

6.单项选择题掺氯氧化使用的HCL是（）。

A.液态源
B.固态源
C.气态源

7.单项选择题二氧化硅中每个硅原子周围有（）个氧原子。

A.1
B.2
C.3
D.4

8.单项选择题以下哪项不是STI工艺气体？（）

A.SiH₄
B.O₂
C.N₂O
D.Ar

9.单项选择题CMP清洗部分的顺序是（）。

A.兆声清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆声清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆声清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆声清洗（Meg）

10.单项选择题高电流注入机的扫描方式为（）。

A.静电扫描
B.机械扫描
C.静电扫描与机械扫描结合