问答题为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺?更小的栅长会引发什么问题?
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P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
题型:判断题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
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晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题