掺杂后，退火的目的是（）。

碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

光刻工艺对准误差包括（）。

封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

光刻工艺的设备核心是（）。

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

消除鸟嘴效应的方法有（）。

刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。