半导体芯片制造工章节练习(2019.05.12)

来源：考试资料网

1.填空题对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。

参考答案：逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库

2.判断题厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。（）

3.问答题单晶片切割的质量要求有哪些？

晶向偏离度总厚度误差，平衡度，翘曲度等

4.问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？

参考答案：1、能很好的阻挡材料扩散；
2、高电导率，低欧姆接触电阻；
3、在半导体和金属之间有很好的附着能力；...

5 离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

6.问答题典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程？

参考答案：存底的制备----硅氧化---生长埋层---外延生长---生长隔离区---生长基区---发射区及集电极接触区生长---形...

7.问答题常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。

参考答案：直流溅射——惰性气体，如氩，送入低压下的溅射腔体，电压加在电极上产生等离子体。加负直流电压的的是...

8.填空题禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

参考答案：电子从价带跳到导带

9.问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

参考答案：如果假设硅中的杂质分布是均匀的，而且氧化气氛中又不含有任何杂质，则再分布有四种可能。①分凝系数m＜l，且在SiO

10.填空题半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。

参考答案：元素；化合物