半导体芯片制造工章节练习(2019.11.11)

来源：考试资料网

1.填空题全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、（）、（）和（）。

参考答案：符号图；抽象图；线路图；版图

2.问答题集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

参考答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...

3.填空题如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。

4.问答题例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。

参考答案：IC生产过程中的5种不同电学测试：
（1）IC设计验证：描述、调试和检验新的芯片设计，保证符合规格要求，是在生...

5.问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。

参考答案：1）杂质的快速热激活RTP工艺最具吸引力的的热点之一是晶圆片不用达到热平衡状态，意味着电活性的有效掺杂实际上可以超过固溶...

6.问答题根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

参考答案：干法刻蚀是采用等离子体进行刻蚀的技术，根据原理分为溅射与离子铣（物理）、等离子刻蚀（化学）、反应离子刻蚀（物理+化学）。...

7 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）

8.问答题一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

9.问答题描述热氧化过程。

参考答案：①干氧：Si＋O₂ SiO₂
氧化速度慢，氧化层干燥、致...

10.判断题光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）