①晶体内杂质浓度梯度; ②环境温度; ③杂质本身结构、性质; ④晶体衬底的结构。
①填隙式扩散 ②替位式扩散 ③填隙-替位式扩散
最新试题
CMP的设备构成包括()。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是()。
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标?()
影响封装芯片特性的温度有()。
金属化中可选用的金属材料有()。
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。
掺杂后退火时间一般在()。
刻蚀过程中聚合物形成的来源有()。
注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关?()
目前制备SOI材料的主流技术有几种?()