新的平坦化方法有哪几个？（）

封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

CMP的设备构成包括（）。

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

常压的硅外延方法有（）。

光刻工艺的设备核心是（）。

影响封装芯片特性的温度有（）。

硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）