微电子学章节练习(2019.12.02)

来源：考试资料网

1.问答题描述投影掩膜版和光掩膜版的区别？

参考答案：投影掩膜版它包括了要在硅片上重复生成的图形。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个光掩膜版通常称为掩膜版，包含了对于整...

2.问答题述集成电路的常规掩模版制备的工艺流程。

参考答案：硅平面晶体管或集成电路掩模版的制作，一般地讲，要经过原图绘制（包括绘总图和刻分图）、初缩、精缩兼分步重复、复印阴版和复印...

3.问答题列举并描述薄膜生长的三个阶段。

参考答案：第一步是晶核形成：成束的稳定小晶核形成，这一步发生在起初少量原子或分子反应物结合起来，形成附着在硅片表面的分离的小膜层的...

4.填空题薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（）。

参考答案：该区的少子扩散长度；线性分布

5.填空题无源基区重掺杂的目的是（）。

参考答案：为了降低体电阻

6.问答题简述双重镶嵌铜互连技术的几个挑战及双镶嵌铜互连工艺流程

参考答案：挑战：
①高深宽比的金属层间接触孔需要点击一层铜阻挡层以防止铜扩散，这个阻挡层需要良好的侧壁和底层阶梯覆盖、优...

7 化学气相淀积SiO₂与热生长SiO₂相比较，下面哪些说法是正确的：（）。
1.热生长SiO₂只能在Si衬底上生长；
2.CVD SiO₂可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上；
3.CVD SiO₂，衬底硅不参加反应；
4.CVD SiO₂，温度低。

8.填空题PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

参考答案：多子；少子

9.问答题离子注入后进行退火工艺的原因是什么？

参考答案：可使裸露的硅片表面生长一层新的阻挡氧化层；高温使得杂质向硅中移动；可使注入引入的损伤得到修复；使杂质原子与硅原子间的共价...

10.问答题为什么要进行显影后检查？

参考答案：为了查找光刻胶中成形图形的缺陷，鉴别并除去有缺陷的硅片，用来检查光刻工艺的好坏，为光学光刻工艺生产人员提供用于纠正的信息...