集成电路工艺原理判断题每日一练(2019.11.24)

来源：考试资料网
1.判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
参考答案：错误
2.判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
参考答案：错误
3.判断题成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。
参考答案：正确
4.判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
参考答案：正确
5.判断题在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
参考答案：错误