半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.12.28)
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参考答案：横向效应：注入的离子在垂直于入射方向平面内的分布情况。横向效应与注入离子的种类和离子能量有关。B的横向效应更大，因为质量... 参考答案：1）铜在SiO2中极易扩散，造成对硅器件的沾污：增加SiO2的漏电流；增加结... 参考答案：腐蚀停止目的：为了精确控制腐蚀深度.P++腐蚀停止技术（形成重掺杂B层）：Si的湿法腐蚀速率在B掺杂浓度<1×10 参考答案：①碰撞注入离子与靶内原子核之间的相互碰撞。因注入离子与靶原子的质量一般为同一数量级，每次碰撞之后，注入离子都可能发生大角... 参考答案：在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进... 参考答案：①交换式：两相邻原子由于有足够高的能量，互相交换位置。②空位式：由于有晶格空位，相邻原子能移动过来。③填隙式：在空隙中的... 参考答案：非对称性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加，即x＜R... 参考答案：ab段为无光放电区；bc段为汤生放电；c点为放电的着火点，cd段为前期辉光放电；de段为正常辉光放电区ef段为反常辉光放... 参考答案：CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋... 参考答案：生长过程：①传输：反应物从气相经边界层转移到Si表面；②吸附：反应物吸附在Si表面；③化学反应：在Si表面进行化学反应，...