半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.12.26)

来源：考试资料网

1.问答题在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。

参考答案：腐蚀停止目的：为了精确控制腐蚀深度.P++腐蚀停止技术（形成重掺杂B层）：Si的湿法腐蚀速率在B掺杂浓度<1×10

2.问答题什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？

参考答案：表面反射——穿过光刻胶的光会从晶圆片表面反射出来，从而改变投入光刻胶的光学能量。当晶圆片表面有高...

3.问答题热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

参考答案：简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它...

4.问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

参考答案：无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示：
其中，Rp为投影射程，ΔRp为投影射程的标准偏差，&p...

5.问答题 Si-SiO₂界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。

参考答案：可动离子电荷Q_m来源：主要来源于Na+等网络改变者。解决办法：为了降低Na+的玷污，可以在工艺过程...

6.问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

参考答案：涂胶→前烘→对准与曝光→曝光后烘烤→显影→坚膜→显影检查

7.问答题个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。

分辨率：
焦深：

8.问答题对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

参考答案：反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻...

9.问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。

参考答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电...

10.问答题以P₂O₅为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

参考答案：在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进...