半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2018.02.01)
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参考答案：1.离子源2.分析磁块3.加速器4.中性束闸5.x&y扫描板6.法拉第杯
1.离子源作用：产生注入用的离子原理... 参考答案：APCVD——一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的，由于反应速率快，CVD系统简单，适于较厚的... 参考答案：制备SiO2的方法有很多，热分解淀积、溅射、真空蒸发、阳极氧化法、化学气相淀积、热氧化法等。热生长法制备的SiO2质量好... 参考答案：非对称性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加，即x＜R... 参考答案：表面反射——穿过光刻胶的光会从晶圆片表面反射出来，从而改变投入光刻胶的光学能量。当晶圆片表面有高... 参考答案：生长过程：①传输：反应物从气相经边界层转移到Si表面；②吸附：反应物吸附在Si表面；③化学反应：在Si表面进行化学反应，... 参考答案：物理气相淀积：蒸发Evaporation、溅射Sputtering热蒸发法：在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发... 参考答案：根据瑞利判据：要提高分辨率，可以通过增大数值孔径NA来实现。传统曝光设备在镜头与硅片之间的介质是空气，空气的折射率是1；... 参考答案：ab段为无光放电区；bc段为汤生放电；c点为放电的着火点，cd段为前期辉光放电；de段为正常辉光放电区ef段为反常辉光放... 参考答案：直流放电中，电荷在表面的积聚会使电场减小，直到等离子体消失。在射频电场中，因为电场周期性地改变方向，带电粒子不容易到达电...
