集成电路工艺原理章节练习(2019.05.01)

来源：考试资料网

1.问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？

参考答案：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高电场，电子在从源区向漏区移动的过程中，将受此电场加速成高能...

2.问答题现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？

参考答案：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅...

3.填空题目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。

参考答案：APCVD；LPCVD；PECVD

4.判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。

5.名词解释真空蒸发

利用蒸发材料在高温时所具有的饱和蒸气压进行薄膜制备。

6.判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。

7.填空题设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。

参考答案：埋层光刻；隔离光刻；基区光刻；发射区光刻；引线区光刻；反刻铝电极

8.判断题纯净的半导体是一种有用的半导体。

9.名词解释RTA

快速热退火。

10.判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。