半导体芯片制造工半导体制造技术问答题每日一练(2019.07.26)

来源：考试资料网
1.问答题对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？
参考答案：硅片热不均匀的因素三个因素造成硅片的热不均匀问题（硅片边缘温度比中心低）：
圆片边缘接收的热辐...
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2.问答题什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
参考答案：表面反射——穿过光刻胶的光会从晶圆片表面反射出来，从而改变投入光刻胶的光学能量。当晶圆片表面有高...
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3.问答题以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
参考答案：在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进...
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4.问答题什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？
参考答案：非对称性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加，即x＜R...
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5.问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
参考答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电...
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