半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.12.31)
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参考答案：CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋... 参考答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电... 参考答案：沟道效应：对晶体靶进行离子注入，当离子速度方向平行于主晶轴时，将很少受到核碰撞，离子将沿沟道运动，注入深度很深。由于沟道... 参考答案：简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它... 参考答案：（1）如果这次预淀积进行了总共t分钟，若预淀积温度不变，引入3Qcm-2 参考答案：费克第一定律：C杂质浓度；D扩散系数（单位为cm2/s）J材料净流量（单位时间内流过单位面积的原子个数）解释：如果在一个... 参考答案：Si工艺 体硅微机械加工工艺（Bulkmicromaching）——用晶圆自身材料来制作MEM... 参考答案：溅射产额：影响因素：离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性只有当入射离子的能量超过一定能量（溅射阈值）时，才能发生溅... 参考答案：实际的扩散温度一般为900-1200℃，在这个温度范围内，杂质在硅中的固溶度随温度变化不大，采用恒定表面源... 参考答案：SiCL4浓度较小，SiCL4被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原...
