集成电路工艺原理章节练习(2018.11.15)

判断题
CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
答案：错误
问答题
简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？
答案：对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的...
名词解释
接触
答案：
是指芯片内的器件与第一层金属之间在硅表面的连接。
名词解释
化学气相沉积
答案：化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应，在表面上以薄膜形式产生固态的副产品，其它的副产品是挥发性的会从表面离开。
填空题
硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。
答案：预淀积；推进；激活
名词解释
离子注入的沟道效应
答案：
当离子沿晶轴方向入射时，大部分离子将沿沟道运动，不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。
名词解释
同质外延
答案：
外延层与沉底的材料相同。
问答题
矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？
答案：基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性、导热性和机械强度高等特征。一般基板的材科多采用高纯度的（96%）...
问答题
比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？
答案：投影掩膜版：图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。容易形成亚微米图形；小曝光场，需要步进重复；光学缩小，允许较大的尺寸。...
名词解释
投影射程
答案：
射程在离子入射方向投影的长度。