集成电路工艺原理章节练习(2018.11.15)

来源：考试资料网

1.判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。

2.问答题简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？

参考答案：对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的...

3.名词解释接触

是指芯片内的器件与第一层金属之间在硅表面的连接。

4.名词解释化学气相沉积

参考答案：化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应，在表面上以薄膜形式产生固态的副产品，其它的副产品是挥发性的会从表面离开。

5.填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

参考答案：预淀积；推进；激活

6.名词解释离子注入的沟道效应

当离子沿晶轴方向入射时，大部分离子将沿沟道运动，不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。

7.名词解释同质外延

外延层与沉底的材料相同。

8.问答题矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？

参考答案：基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性、导热性和机械强度高等特征。一般基板的材科多采用高纯度的（96%）...

9.问答题比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？

参考答案：投影掩膜版：图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。容易形成亚微米图形；小曝光场，需要步进重复；光学缩小，允许较大的尺寸。...

10.名词解释投影射程

射程在离子入射方向投影的长度。