集成电路工艺原理章节练习(2019.05.06)

来源：考试资料网

1.判断题CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，可能引起同一层金属之间的断路。

2.问答题为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？

参考答案：距Si/SiO2界面2nm以内的Si的不完全氧化是带正电的固定氧化物电荷区；对于器件的正常工作，界面处的电荷堆积是不受欢...

3.问答题简述BGA的安装互联技术？

参考答案：安装前需检查BGA焊球的共面性以及有无脱落，BGA在PWB上的安装与目前的SMT工艺设备和工艺基本兼容。
先将...

4.名词解释玻璃回流

是升高温度的情况下给掺杂氧化硅加热，使它发生流动。

5.问答题简述两步扩散的含义与目的？

参考答案：为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺：第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下...

6.名词解释间隙式扩散

参考答案：间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。

7.判断题与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。

8.问答题集成电路测试的意义和基本任务？

参考答案：意义：集成电路（IC.测试是伴随着集成电路的发展而发展的，它对促进集成电路的进步和应用作出了巨大地贡献。
任务...

9.名词解释离子注入的晶格损伤

参考答案：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的...

10.判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。